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        洛寧FS200R12PT4英飛凌IGBT代理商技術支持

        日期:2021-12-08 20:22:23     發布人:意泓電子科技

        洛寧FS200R12PT4英飛凌IGBT代理商技術支持

        洛寧FS200R12PT4英飛凌IGBT代理商技術支持

        造成IGBT損壞。因此,在檢測出過電流以后,必須采取一定的策略關斷IGBT,使關斷過程落在反向偏置安全工作區(RBSOA)內,即采取所謂“柔性關斷”。(2)IGBT的飽和壓降檢測法IGBT過電流時的飽和壓降UCE(sat)比正常工作時要高。圖29是采用間接電壓法的過流保護電路,它是應用IGBT過流時UCE值增大的原理來檢測IGBT的過流現象。M57959AL驅動器內部電路能很好地完成軟關斷功能。電路中含有過電流信息的UCE經快速恢復二極管VD2檢測,直接送至M57959AL的集電極電壓監測端子l,8腳輸出;通過U2光電耦合器,送到比較器U1A正相端與反相端的基準電壓比較后輸出,關斷驅動信號。如果發生過流現象。

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        IGBT的符號如圖1(c)所示。在發射極電極側形成n+pn-寄生晶體管。若n+pn-寄生晶體管工作,又變成p+n-pn+晶閘管。電流繼續流動,直到輸出側停止供給電流。通過輸出信號已不能進行控制。一般將這種狀態稱為閉鎖狀態。為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數α作為解決閉鎖的措施。具體地來說,p+n-p的電流放大系數α設計為0.5以下。IGBT的閉鎖電流IL為額定電流(直流)的3倍以上。IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同,通斷由柵射極電壓uGE決定。導通IGBT硅片的結構與功率MOSFET的結構十分相似,主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。

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        該產品目前仍然是IGBT器件特性的標準。然而,這種600VIGBT3主要適合小功率應用或者雜散電感很低的大功率應用。在器件開啟及關斷時,雜散電感與電流變化量的結合影響著器件的電壓特性,可以表示為V=L·dI/dt。因此,如果器件關斷時電感Lσ較大,過壓就會很高。當前,為了給不同電路的大電流應用提供更多的選擇,一種全新的芯片——650VIGBT4已設計完成。英飛凌600V/650VIGBT系列等效電路圖注:英飛凌IGBT型號說明,開頭兩個字母表示含義FZ:一單元模塊;FF:兩單元模塊(半橋模塊);FP:七單元模塊(功率集成模塊);FD/DF:斬波模塊;F四單元模塊;FS:六單元模塊;DD:二極管模塊。

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